Diode

一. 二极管的单向导电性

\draw (0, 0) to [empty diode, v_<=$diode$](4, 0);

正向（正半轴；三角形那边输入正电）
$\begin{align*} \text{OA} &\longrightarrow \text{从无法导通到导通} \\ \\ &\Downarrow \\ \\ \text{导通硅板材质}&\text{二极管需要 } 0.6 - 0.7 V \text{ 的电压} \\ \text{导通锗板材质}&\text{二极管需要 } 0.2 - 0.3 V \text{ 的电压} \end{align*}$
反向（负半轴；竖线那边输入正电）
$\begin{align*} \text{O to Breakdown Point} &\longrightarrow \text{截止，基本不通电，该二极管可看作开路} \\ \\ \text{Breakdown Point to } \infty &\longrightarrow \text{击穿，二极管被烧坏，可将它看作短路} \end{align*}$

从所求电子元件的电压正极出发，每经过一个节点，追踪出每一条电子移动的线路或轨迹

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二、volt-ampere characteristic （伏安特性）

正向（正半轴；三角形那边输入正电）

\begin{align*} \text{OA} &\longrightarrow \text{从无法导通到导通} \\ \\ &\Downarrow \\ \\ \text{导通硅板材质}&\text{二极管需要 } 0.6 - 0.7 V \text{ 的电压} \\ \text{导通锗板材质}&\text{二极管需要 } 0.2 - 0.3 V \text{ 的电压} \end{align*}

反向（负半轴；竖线那边输入正电）

\begin{align*} \text{O to Breakdown Point} &\longrightarrow \text{截止，基本不通电，该二极管可看作开路} \\ \\ \text{Breakdown Point to } \infty &\longrightarrow \text{击穿，二极管被烧坏，可将它看作短路} \end{align*}